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晶體生長：通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）生長碳化硅晶體。

感應將坩堝加熱至2,000℃以上，控制籽晶處溫度略低于下部微粉處，在坩堝內形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的Si2C、SiC2、Si等物質，在溫度梯度驅動下到達溫度較低的籽晶處，并在其上結晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。